タグ DRAM
新着順 10 users 50 users 100 users 500 users 1000 usersインテル、ついに不揮発性のメインメモリ「Intel persistent memory」発表、実稼働デモ公開。2018年に新型Xeon「Cascade Lake」とともに登場予定 - Publickey
インテル、ついに不揮発性のメインメモリ「Intel persistent memory」発表、実稼働デモ公開。2018年に新型Xeon「Cascade Lake」とともに登場予定 現代のコンピュータは基本的にメインメモリとしてDRAMを利用しています。DRAMはアクセスが高速な一方、容量あたりの単価は高く、それゆえ大量にコンピュータに搭載することが難しく、またデータを保持し続けるのに電力を必要とし... 続きを読む
“第3のメモリー”の衝撃、ストレージとDBが一変する - CloseUp:ITpro Active
2012年、DRAMでもフラッシュメモリーでもない“第3のメモリー”の量産出荷が始まった。DRAM並みに高速でありながら、フラッシュ同様に電源をオフにしてもデータが消えない「新世代不揮発性メモリー」だ。新メモリーによってコンピュータのアーキテクチャーは激変し、入出力(I/O)の大幅な高速化が実現すると共に、消費電力は激減する。 コンピュータには、高速だが電源をオフにするとデータが消える「主記憶装置... 続きを読む
均一性のNECと一点突破の日立 手段と目的を履き違えていた半導体技術文化
1999年12月にNECと日立製作所のDRAM合弁会社エルピーダメモリ(当時はNEC日立メモリ)ができたときのことである(大変古い話で恐縮ですが)。私は、2000年2月にNEC相模原内のエルピーダ・プロセス開発センターに出向して、同様にNECから出向してきた技術者と一緒にDRAMのプロセス開発を行った。 そのとき、会社が違うと、仕事のやり方がかくも違うものなのかと驚いた。DRAMのプロセスフローは... 続きを読む
日本の半導体産業が弱体化しても製造装置産業はなぜ強さを維持できたのか(津田建二) - 個人 - Yahoo!ニュース
最近になってやっと新聞紙上でも、半導体が日本で重要だという見方がでてきた。しかし、日本は半導体といっても半導体製造装置や材料が強いのであって(図1)、半導体チップが強い訳ではない。かつて、霞が関(経済産業省)と総合電機が一緒になって、半導体はDRAMをやめシステムLSIをやれと大号令をかけてきたが、全て... 続きを読む
Intel、DDR4スロットに挿せる1枚で512GBの「Optane DC」不揮発性メモリ - PC Watch
米Intel は30日(現地時間)、DDR4メモリのスロットに挿せる「Optane DC」不揮発性メモリを発表した。 PCI Expressではなくメモリスロットに装着するため、低レイテンシと高速性を実現。その一方で従来のDRAMとは異なり、電源を切ってもデータが保持できる。また、1モジュールあたり最大512GBの容量を実現する。 これにより、データセンターにおける新しいメモリ/ストレージ技術... 続きを読む
【後藤弘茂のWeekly海外ニュース】IntelがHBM2とAMD GPUダイを統合した「Kaby Lake-G」を年内に投入 - PC Watch
IntelのKaby Lake-Gの不思議 IntelはスタックドDRAM「HBM2」をCPUパッケージに統合した「Kaby Lake-G」を年内に投入する。従来のeDRAM版CPUと同様に、CPUパッケージ内にHBM2のDRAMが封止されている。ただし、いくつか大きな違いがある。すでにウワサで報じられているように、GPUコアはIntelの内蔵コアではなく(内蔵コアも持ってはいる)、サードパーテ... 続きを読む
ITmediaニュース:「RAMディスクの再来」により、Windows XPが高速ブート可能に
速報 2005/06/02 14:34 更新 「RAMディスクの再来」により、Windows XPが高速ブート可能に GIGABYTEは、DRAMを使ったRAMディスクカード「i-RAM」を発表した。最大で4GバイトのDRAMを装着でき、HDD代わりに利用すればWindows XPが数秒で起動する。(IDG) 台湾のGIGABYTE TechnologyはWindows XPマシンで高速ブートを可... 続きを読む
インテル、DRAMと同じDDR4スロットに挿せる不揮発性メモリ「Intel Optane DC persistent memory」サンプル出荷開始、2019年に本格出荷へ - Publickey
インテル、DRAMと同じDDR4スロットに挿せる不揮発性メモリ「Intel Optane DC persistent memory」サンプル出荷開始、2019年に本格出荷へ 現代のコンピュータの基本的なアーキテクチャにおける記憶装置は、電源を切ると消えてしまう一時記憶装置(メインメモリ)と、電源を切っても消えない二次記憶装置(ストレージ)の2つを基本としています。 しかしインテルはこれまでにない新... 続きを読む
記憶容量が現行メモリの10倍&消費電力は3分の2の次世代メモリ「MRAM」を日米20社の半導体企業が共同開発、いよいよ量産化が明確に - GIGAZINE
By Chris Sinjakli 現行のDRAMに代わる次世代メモリとして期待される「MRAM」を、マイクロン・東京エレクトロンなど日米半導体開発関連企業20社が、研究開発拠点となる東北大学「国際集積エレクトロニクス研究開発センター」で共同開発することが決定しました。日米半導体連合は2018年のMRAM量産化を計画しており、いよいよ量産化に向けてMRAMの開発が開発が加速する見込みですが、「そも... 続きを読む
エルピーダメモリ 米社傘下に NHKニュース
DRAMと呼ばれる半導体の国内唯一のメーカーで、会社更生法の適用を受けた「エルピーダメモリ」が、アメリカの大手メーカー「マイクロンテクノロジー」の完全子会社となることで最終的に合意しました。 「エルピーダメモリ」は、デジタル製品に欠かせないDRAMと呼ばれる半導体を生産する国内唯一のメーカーで、かつて経営が悪化した際には、いわゆる「日の丸半導体」として公的資金の投入を受けました。 去年、経営が破綻... 続きを読む
【後藤弘茂のWeekly海外ニュース】多様化でDRAMが変わる、メモリ階層が変わる - PC Watch
後藤弘茂のWeekly海外ニュース 多様化でDRAMが変わる、メモリ階層が変わる (2014/5/26 06:00) DRAMが変わる、メモリ階層が変わる そう遠くない将来、コンピュータのメモリ階層が変わり始める。一部のハイエンドプロセッサから、ワーキングメモリが広帯域DRAMと大容量DRAMの2層に変わり始める。その結果、連続したメモリアドレスの中に速度の異なる2種類のメモリが混在するようになる... 続きを読む
NAND(SSD)より高速でメモリ(DRAM)より安い不揮発性高速メモリ「Intel Optane SSD DC P4800X」がいよいよ登場 - GIGAZINE
IntelがMicronと共同で開発していた次世代のメモリ技術「3D XPoint」を用いた、DRAMよりも安価で NAND (SSD)よりもはるかに高速なストレージ「 Intel Optane SSD DC P4800X 」がいよいよ市場に登場します。 Intel® Optane™ SSD DC P4800X Series http://www.intel.com/content/www/us/... 続きを読む
【後藤弘茂のWeekly海外ニュース】微細化の限界に近づくDRAMの供給量が減り始める
後藤弘茂のWeekly海外ニュース 微細化の限界に近づくDRAMの供給量が減り始める (2013/7/5 14:01) DRAMの供給量が減り始める今後のメモリ業界 DRAMは終焉に向かっていると言われているが、その傾向がDRAM製造にも如実に反映されつつある。DRAMの総ビット量の伸びが鈍化し始めている。これまでのように、DRAMの生産総ビット量が毎年増え、ビット当たりのDRAM価格が順調に下が... 続きを読む
【後藤弘茂のWeekly海外ニュース】DRAMスケーリングの課題と打開策 - PC Watch
後藤弘茂のWeekly海外ニュース DRAMスケーリングの課題と打開策 (2014/12/4 12:17) AMDのJoe Macri氏(CVP and Product CTO) DRAMを揺るがすRow Hammer問題 昨年(2013年)までは、DRAMの製造プロセス技術の微細化が行き詰まっているという声がよく聞かれた。微細化が行き詰まれば、DRAMの容量の増加や価格の低下も行き詰まる。DRA... 続きを読む
DRAMの終焉――消えないメモリがもたらす大変化|佐藤一郎のパースペクティブ|ダイヤモンド・オンライン
ITの面白いところであり、怖いところは新しい技術により、これまで培われてきた技術が無用化することや、逆に思いもよらない応用が広がるところです。 そうした大きな変化を起こしうる技術として、不揮発性メモリがあります。これまでのコンピュータではDRAMをメモリ(主記憶)として広く使ってきましたが、そのDRAMが技術的限界を迎えつつあり、次世代メモリ技術として不揮発性メモリが注目されています。 ここで重要... 続きを読む
記者の眼 - ハードウエアの選択肢が急増、CPU万能時代は終焉:ITpro
計算処理には「CPU」だけでなく「GPU」や「FPGA」、メインメモリーには「DRAM」や「3D XPoint」、ストレージには「ハードディスク」「NANDフラッシュ」「3D XPoint」――。現在、コンピュータの構成要素の選択肢が急増し始めている。 10年前であれば、業務アプリケーションを稼働するサーバーコンピュータでは計算処理にはCPUを、メインメモリーにはDRAMを、ストレージにはハードデ... 続きを読む
東芝、2.5インチで30TBを実現した業界最速SSD ~SSD上のDRAMをメインメモリとして使えるモデルも - PC Watch
PM5/CM5シリーズ 東芝メモリ株式会社 は8日、2.5インチサイズで最大30.72TBの容量を実現したエンタープライズ向けSSD「PM5」シリーズなどを発表した。すでにOEM向けのサンプル出荷を開始しており、2017年第4四半期以降順次出荷を拡大する。 業界で初めて64層積層プロセスを用いた3次元フラッシュメモリを搭載したエンタープライズ向けSSD。容量ラインナップは400GB~30.7... 続きを読む
池田信夫 blog : 優秀な技術者と無能な経営者 - ライブドアブログ
2012年03月25日 13:33 経済 優秀な技術者と無能な経営者 アゴラで竹内健氏の『世界で勝負する仕事術』を紹介したら、井上晃宏氏がそれをフォローする記事を書いているので、私も補足しておこう。 湯之上隆氏の話はJBpressの連載にもくわしく書かれているが、要は日本の半導体がだめになった原因は技術ではなく、無能な経営者だという話である。彼の「日本のDRAMは過剰品質だ」という批判はエルピーダ... 続きを読む
SK Hynix、世界初の16GB DDR4不揮発性DIMM ~DRAMの性能とNANDの不揮発性を両立 - PC Watch
ニュース SK Hynix、世界初の16GB DDR4不揮発性DIMM ~DRAMの性能とNANDの不揮発性を両立 (2014/10/21 13:30) SK HynixのDDR4 NVDIMM 韓国SK Hynixは21日(現地時間)、世界最大容量となる16GBのDDR4 NVDIMM(不揮発性DIMM)を開発したと発表した。すでに特定顧客向けにサンプル出荷を開始しており、量産は2015年上半期... 続きを読む
【福田昭のセミコン業界最前線】次世代ハイエンドDRAM「DDR4」の全貌
福田昭のセミコン業界最前線 次世代ハイエンドDRAM「DDR4」の全貌 (2013/3/4 00:00) 米国の業界団体JEDECは10年ほど前から、DDR3タイプDRAM(DDR3 DRAM)の次世代に相当するDRAM(DDR4タイプDRAM)の共通技術仕様を策定してきた。技術仕様は2012年にまとまり、9月には標準規格「JESD79-4」として一般に公開された。現在では無償で、標準規格の仕様書... 続きを読む
SSD に関する雑感 - mura日記 (halfrack)
SSD は block erase やら wear leveling で作業領域としての DRAM に大きく頼らざるを得ない。 電源断により DRAM の dirty な領域が消失することを考慮しながらメタデータの破損を防ごうとすると、 DRAM -> NAND の書き込み順序に強い制約が生じ、高速化に支障を来す。(ファイルシステムにおけるそれと同じように)DRAM with BBU を仮定すると... 続きを読む
【イベントレポート】東芝メモリ、超高速フラッシュ技術「XL-FLASH」でDRAMと同等の実性能を披露 - PC Watch
QNAP、Core i7/DRAM/SSDの“PC一式×2”を搭載したPCIe拡張カード - PC Watch
【福田昭のセミコン業界最前線】DRAM値上がりで、空前の利益を享受するメモリ企業 - PC Watch
Samsung Electronics、SK Hynix、Micron Technologyの業績(直近の四半期)。各社の公表資料を基に、筆者がまとめたもの。「過去最高」の売り上げと営業利益、そして40%を超える売上高営業利益率(営業利益/売上高)がならぶ DRAMとNANDフラッシュメモリが大半を占める半導体メモリ市場が、空前の好景気に沸いている。Samsung Electronics、SK ... 続きを読む
ソニー、毎秒1,000フレームのスーパースロー撮影が可能なスマホ向けCMOSセンサー - AV Watch
ニュース ソニー、毎秒1,000フレームのスーパースロー撮影が可能なスマホ向けCMOSセンサー 臼田勤哉 2017年2月7日 11:54 ソニーは、DRAMを積層し、高速読み出しやスーパースロー撮影に対応したスマートフォン向けCMOSイメージセンサーを開発した。従来の裏面照射型画素部分と信号処理回路部分との2層構造の積層型CMOSイメージセンサーに、さらにDRAMを積層した3層構造を採用。DRA... 続きを読む