はてブログ

はてなブックマーク新着エントリーの過去ログサイトです。



タグ DRAM

新着順 人気順 5 users 10 users 50 users 100 users 500 users 1000 users
 
(1 - 25 / 46件)

間接参照を巨大仮想メモリで飲み込む - Software Transactional Memo

2023/12/03 このエントリーをはてなブックマークに追加 11 users Instapaper Pocket Tweet Facebook Share Evernote Clip Software Transactional Memo

この記事はデータベース・システム系 Advent Calendar 2023の3日目の記事である。昨日の記事も僕でした。 間接参照を巨大仮想メモリで飲み込む メインメモリはハードディスクやSSDより容量が小さく、この問題は当面は解決の目処が立たない。 そもそも今のDRAMより速くて安くて大きいストレージが仮に発明されてもそれがD... 続きを読む

NVIDIA RTX環境での「Stable Diffusion」はVRAMを使い果たすとDRAMも使えるが、逆にVRAMだけにもできる

2023/11/02 このエントリーをはてなブックマークに追加 13 users Instapaper Pocket Tweet Facebook Share Evernote Clip VRAM ナレッジベース Stable Diffusion

NVIDIA RTX環境での「Stable Diffusion」はVRAMを使い果たすとDRAMも使えるが、逆にVRAMだけにもできる 米NVIDIAは10月31日、サポートページ内にあるナレッジベースに掲載する形で、「Stable Diffusion」に関する動作の仕様について情報を公開した。生成AIを手軽に楽しめる「Stable Diffusion」におけるTipsがまとまって... 続きを読む

Intelとメモリメーカーは生き残れるのか? ~驚愕のMPU/メモリ市況

2023/03/29 このエントリーをはてなブックマークに追加 10 users Instapaper Pocket Tweet Facebook Share Evernote Clip メモリメーカー MPU WBC Intel 市況

Intelとメモリメーカーは生き残れるのか? ~驚愕のMPU/メモリ市況:湯之上隆のナノフォーカス(60)(1/5 ページ) MPU、DRAM、NAND型フラッシュメモリの市況が大変なことになっている。半導体メーカーの統廃合が起きるかもしれない――。そう思わざるを得ないほど事態は深刻だ。 2023年3月22日に行われたWBC(ワールド・... 続きを読む

日本政府が最大465億円の助成を行うマイクロンメモリ ジャパンの広島工場に行ってみた

2022/11/21 このエントリーをはてなブックマークに追加 25 users Instapaper Pocket Tweet Facebook Share Evernote Clip マイクロンメモリ 助成 ジャパン 日本政府 設計

米Micron Technologyの日本法人であり、最先端メモリ製品の開発や設計、生産を担うマイクロンメモリ ジャパンの広島工場において、1β DRAMの量産製造開始セレモニーが開催された。 米Micron Technologyは11月16日、1β DRAMの量産製造開始セレモニーをマイクロンメモリ ジャパン(旧エルピーダメモリ)の広島工場で実施し... 続きを読む

メモリに繰り返しアクセスするだけで権限のないメモリ内容を変更可能、Googleが攻撃手法を発見:DRAMの微細化で脅威が増すサイバー攻撃 - @IT

2021/06/04 このエントリーをはてなブックマークに追加 16 users Instapaper Pocket Tweet Facebook Share Evernote Clip ハードウェア メモリ 脅威 権限 微細化

メモリに繰り返しアクセスするだけで権限のないメモリ内容を変更可能、Googleが攻撃手法を発見:DRAMの微細化で脅威が増すサイバー攻撃 DRAMが持っていたハードウェアの脆弱性を悪用する「ローハンマー」というサイバー攻撃は、2014年に見つかった古い手法だ。既に対策が講じられているものの、2021年にGoogleが発見した... 続きを読む

日本の半導体産業が弱体化しても製造装置産業はなぜ強さを維持できたのか(津田建二) - 個人 - Yahoo!ニュース

2021/04/04 このエントリーをはてなブックマークに追加 271 users Instapaper Pocket Tweet Facebook Share Evernote Clip 半導体産業 弱体化 Yahoo 津田建二 ニュース

最近になってやっと新聞紙上でも、半導体が日本で重要だという見方がでてきた。しかし、日本は半導体といっても半導体製造装置や材料が強いのであって(図1)、半導体チップが強い訳ではない。かつて、霞が関(経済産業省)と総合電機が一緒になって、半導体はDRAMをやめシステムLSIをやれと大号令をかけてきたが、全て... 続きを読む

【イベントレポート】東芝メモリ、超高速フラッシュ技術「XL-FLASH」でDRAMと同等の実性能を披露 - PC Watch

2019/08/14 このエントリーをはてなブックマークに追加 41 users Instapaper Pocket Tweet Facebook Share Evernote Clip 東芝メモリ 披露 PC Watch イベントレポート

続きを読む

メモリの脆弱性を利用してデータを盗み読む「RAMBleed攻撃」が発見される - GIGAZINE

2019/06/13 このエントリーをはてなブックマークに追加 25 users Instapaper Pocket Tweet Facebook Share Evernote Clip GIGAZINE メモリ 脆弱性 データ ハードウェア上

サイバーセキュリティ研究者のチームは2019年6月11日、最新のシステムにインストールされた悪意のあるプログラムが、同じハードウェア上で実行されている他プロセスから重要なメモリデータを読み取ることができるという、DRAMに対する新しいサイドチャネル攻撃「RAMBleed攻撃」の詳細を明らかにしました。 RAMBleed http... 続きを読む

過剰供給の続くDRAM、2019年第2四半期も価格下落の見込み - PC Watch

2019/02/22 このエントリーをはてなブックマークに追加 18 users Instapaper Pocket Tweet Facebook Share Evernote Clip 見込み 過剰供給 価格下落 PC Watch

続きを読む

QNAP、Core i7/DRAM/SSDの“PC一式×2”を搭載したPCIe拡張カード - PC Watch

2018/11/22 このエントリーをはてなブックマークに追加 41 users Instapaper Pocket Tweet Facebook Share Evernote Clip QNAP SSD PCIe拡張カード PC Watch

続きを読む

サーバ主記憶の拡張技術で処理性能が3.6倍に――富士通が実証実験:サーバ1台で10台分のインメモリ性能 - @IT

2018/09/20 このエントリーをはてなブックマークに追加 14 users Instapaper Pocket Tweet Facebook Share Evernote Clip 富士通 実証実験 フラッシュメモリ 処理性能 サーバ1台

富士通研究所と富士通は、フラッシュメモリを利用してサーバの主記憶容量(DRAM)を仮想的に拡張する技術「MMGIC」の実証実験をインドSify Technologiesの協力を得て実施した。その結果、同技術を適用すると、サーバ1台で10台分と同等の処理性能を発揮することを確認した。 富士通研究所と富士通は2018年9月19日、共同で... 続きを読む

インテル、DRAMと同じDDR4スロットに挿せる不揮発性メモリ「Intel Optane DC persistent memory」サンプル出荷開始、2019年に本格出荷へ - Publickey

2018/05/31 このエントリーをはてなブックマークに追加 94 users Instapaper Pocket Tweet Facebook Share Evernote Clip Publickey メインメモリ アーキテクチャ インテル

インテル、DRAMと同じDDR4スロットに挿せる不揮発性メモリ「Intel Optane DC persistent memory」サンプル出荷開始、2019年に本格出荷へ 現代のコンピュータの基本的なアーキテクチャにおける記憶装置は、電源を切ると消えてしまう一時記憶装置(メインメモリ)と、電源を切っても消えない二次記憶装置(ストレージ)の2つを基本としています。 しかしインテルはこれまでにない新... 続きを読む

Intel、DDR4スロットに挿せる1枚で512GBの「Optane DC」不揮発性メモリ - PC Watch

2018/05/31 このエントリーをはてなブックマークに追加 204 users Instapaper Pocket Tweet Facebook Share Evernote Clip Intel 揮発性メモリ DDR4スロット メモリスロット

米Intel は30日(現地時間)、DDR4メモリのスロットに挿せる「Optane DC」不揮発性メモリを発表した。  PCI Expressではなくメモリスロットに装着するため、低レイテンシと高速性を実現。その一方で従来のDRAMとは異なり、電源を切ってもデータが保持できる。また、1モジュールあたり最大512GBの容量を実現する。  これにより、データセンターにおける新しいメモリ/ストレージ技術... 続きを読む

JVNVU#92147586: 統合型 GPU に対する WebGL を利用したサイドチャネル攻撃 および Rowhammer 攻撃

2018/05/07 このエントリーをはてなブックマークに追加 17 users Instapaper Pocket Tweet Facebook Share Evernote Clip WebGL Glitch GPU サイドチャネル攻撃 攻撃

JVNVU#92147586 統合型 GPU に対する WebGL を利用したサイドチャネル攻撃 および Rowhammer 攻撃 スマートフォンなどの GPU が統合されたプラットフォームを利用する機器は、WebGL を利用した DRAM へのサイドチャネル攻撃 および Rowhammer 攻撃を実行される可能性があります。この攻撃は "GLitch" と呼ばれています。 GLitch と呼ばれ... 続きを読む

【福田昭のセミコン業界最前線】3D NAND技術の開発競争で東芝-WD連合とSamsungが激突 - PC Watch

2018/02/25 このエントリーをはてなブックマークに追加 24 users Instapaper Pocket Tweet Facebook Share Evernote Clip Samsung 激突 福田昭 NAND技術 セミコン業界最前線

技術の東芝、事業のSamsungという浅からぬ因縁  NANDフラッシュメモリの発明企業が東芝であることは、良く知られている。DRAMを超える記憶密度と記憶容量を実現しながら、データを電気的に書き換え可能にしたメモリだ。およそ30年前の1987年12月に、国際学会IEDMで、NANDフラッシュメモリのメモリセルがはじめて発表された(IEDM1987、講演番号25.6)。  NANDフラッシュメモリ... 続きを読む

【福田昭のセミコン業界最前線】DRAM値上がりで、空前の利益を享受するメモリ企業 - PC Watch

2017/11/28 このエントリーをはてなブックマークに追加 35 users Instapaper Pocket Tweet Facebook Share Evernote Clip 空前 福田昭 NANDフラッシュメモリ セミコン業界最前線

Samsung Electronics、SK Hynix、Micron Technologyの業績(直近の四半期)。各社の公表資料を基に、筆者がまとめたもの。「過去最高」の売り上げと営業利益、そして40%を超える売上高営業利益率(営業利益/売上高)がならぶ  DRAMとNANDフラッシュメモリが大半を占める半導体メモリ市場が、空前の好景気に沸いている。Samsung Electronics、SK ... 続きを読む

東芝、2.5インチで30TBを実現した業界最速SSD ~SSD上のDRAMをメインメモリとして使えるモデルも - PC Watch

2017/08/09 このエントリーをはてなブックマークに追加 50 users Instapaper Pocket Tweet Facebook Share Evernote Clip メインメモリ 東芝 SSD上 PC Watch 30TB

PM5/CM5シリーズ   東芝メモリ株式会社 は8日、2.5インチサイズで最大30.72TBの容量を実現したエンタープライズ向けSSD「PM5」シリーズなどを発表した。すでにOEM向けのサンプル出荷を開始しており、2017年第4四半期以降順次出荷を拡大する。  業界で初めて64層積層プロセスを用いた3次元フラッシュメモリを搭載したエンタープライズ向けSSD。容量ラインナップは400GB~30.7... 続きを読む

インテル、ついに不揮発性のメインメモリ「Intel persistent memory」発表、実稼働デモ公開。2018年に新型Xeon「Cascade Lake」とともに登場予定 - Publickey

2017/05/18 このエントリーをはてなブックマークに追加 825 users Instapaper Pocket Tweet Facebook Share Evernote Clip Publickey メインメモリ インテル 単価 電力

インテル、ついに不揮発性のメインメモリ「Intel persistent memory」発表、実稼働デモ公開。2018年に新型Xeon「Cascade Lake」とともに登場予定 現代のコンピュータは基本的にメインメモリとしてDRAMを利用しています。DRAMはアクセスが高速な一方、容量あたりの単価は高く、それゆえ大量にコンピュータに搭載することが難しく、またデータを保持し続けるのに電力を必要とし... 続きを読む

メモリドリブン型コンピューター「The Machine」のプロトタイプをHPEが公開、単一で160TBのメモリを搭載 - GIGAZINE

2017/05/17 このエントリーをはてなブックマークに追加 27 users Instapaper Pocket Tweet Facebook Share Evernote Clip HPE GIGAZINE Today プロトタイプ メモリ

CPU・メインメモリ(DRAM)・ストレージデバイス・ネットワークデバイスで構成される従来のコンピューターの基本構成を離れた「新たな形」としてヒューレット・パッカード・エンタープライズ(HPE)が開発を進めているメモリドリブン型コンピューター「The Machine」の新たな試作機が公開されました。これは、世界最大のシングルメモリー・コンピューターだとのこと。 Today @HPE introdu... 続きを読む

【後藤弘茂のWeekly海外ニュース】IntelがHBM2とAMD GPUダイを統合した「Kaby Lake-G」を年内に投入 - PC Watch

2017/04/12 このエントリーをはてなブックマークに追加 151 users Instapaper Pocket Tweet Facebook Share Evernote Clip Intel Kaby Lake-G 後藤弘茂 投入 HBM2

IntelのKaby Lake-Gの不思議  IntelはスタックドDRAM「HBM2」をCPUパッケージに統合した「Kaby Lake-G」を年内に投入する。従来のeDRAM版CPUと同様に、CPUパッケージ内にHBM2のDRAMが封止されている。ただし、いくつか大きな違いがある。すでにウワサで報じられているように、GPUコアはIntelの内蔵コアではなく(内蔵コアも持ってはいる)、サードパーテ... 続きを読む

NAND(SSD)より高速でメモリ(DRAM)より安い不揮発性高速メモリ「Intel Optane SSD DC P4800X」がいよいよ登場 - GIGAZINE

2017/03/22 このエントリーをはてなブックマークに追加 66 users Instapaper Pocket Tweet Facebook Share Evernote Clip NAND GIGAZINE Micron Optane SSD

IntelがMicronと共同で開発していた次世代のメモリ技術「3D XPoint」を用いた、DRAMよりも安価で NAND (SSD)よりもはるかに高速なストレージ「 Intel Optane SSD DC P4800X 」がいよいよ市場に登場します。 Intel® Optane™ SSD DC P4800X Series http://www.intel.com/content/www/us/... 続きを読む

東芝半導体、アップルが出資に関心 (ニュースイッチ) - Yahoo!ニュース

2017/02/22 このエントリーをはてなブックマークに追加 14 users Instapaper Pocket Tweet Facebook Share Evernote Clip 東芝半導体 出資 アップル 関心 ニュースイッチ

東芝が、分社して設立する半導体メモリー新会社への出資に米アップルが関心を示していることが明かになった。メモリー新会社への出資には、協業関係にある米ウエスタンデジタル(WD)や、同業の米マイクロン・テクノロジーのほか、米マイクロソフトが意欲を示している。実現すれば、メモリー業界の日米連合で、首位の韓国サムスン電子に対抗する構図となる。 アップルなど米企業は「DRAMでサムスンが支配的地位を築いたこと... 続きを読む

ソニー、毎秒1,000フレームのスーパースロー撮影が可能なスマホ向けCMOSセンサー - AV Watch

2017/02/07 このエントリーをはてなブックマークに追加 35 users Instapaper Pocket Tweet Facebook Share Evernote Clip ソニー AV Watch DRA 積層 従来

ニュース ソニー、毎秒1,000フレームのスーパースロー撮影が可能なスマホ向けCMOSセンサー 臼田勤哉 2017年2月7日 11:54  ソニーは、DRAMを積層し、高速読み出しやスーパースロー撮影に対応したスマートフォン向けCMOSイメージセンサーを開発した。従来の裏面照射型画素部分と信号処理回路部分との2層構造の積層型CMOSイメージセンサーに、さらにDRAMを積層した3層構造を採用。DRA... 続きを読む

記者の眼 - ハードウエアの選択肢が急増、CPU万能時代は終焉:ITpro

2015/08/31 このエントリーをはてなブックマークに追加 54 users Instapaper Pocket Tweet Facebook Share Evernote Clip ITpro ハードウェア メインメモリー 終焉 急増

計算処理には「CPU」だけでなく「GPU」や「FPGA」、メインメモリーには「DRAM」や「3D XPoint」、ストレージには「ハードディスク」「NANDフラッシュ」「3D XPoint」――。現在、コンピュータの構成要素の選択肢が急増し始めている。 10年前であれば、業務アプリケーションを稼働するサーバーコンピュータでは計算処理にはCPUを、メインメモリーにはDRAMを、ストレージにはハードデ... 続きを読む

【後藤弘茂のWeekly海外ニュース】DRAMスケーリングの課題と打開策 - PC Watch

2014/12/04 このエントリーをはてなブックマークに追加 56 users Instapaper Pocket Tweet Facebook Share Evernote Clip DRA 後藤弘茂 打開策 AMD Weekly海外ニュース

後藤弘茂のWeekly海外ニュース DRAMスケーリングの課題と打開策 (2014/12/4 12:17) AMDのJoe Macri氏(CVP and Product CTO) DRAMを揺るがすRow Hammer問題 昨年(2013年)までは、DRAMの製造プロセス技術の微細化が行き詰まっているという声がよく聞かれた。微細化が行き詰まれば、DRAMの容量の増加や価格の低下も行き詰まる。DRA... 続きを読む

 
(1 - 25 / 46件)