低品質なNANDフラッシュメモリが出回りUSBメモリとmicroSDカードの品質が下がっているという報告

2024/02/07 19 users microSDカード USBメモリ 品質 報告 ドイツ

ドイツのデータ復旧会社であるCBLが、microSDカードやUSBメモリの品質が低下しているという調査結果を発表しました。その原因はメーカーが品質管理の段階で廃棄したNANDフラッシュメモリが横流しされ、流用されているケースが増えているからだとのことです。 Unzuverlässige Flash-Speicher - CBL Datenrettung https://... 続きを読む

【福田昭のセミコン業界最前線】 NANDフラッシュメモリに続いて大容量DRAMも将来は3次元積層へ

2023/06/08 9 users 福田昭 セミコン業界最前線 将来 3次元積層

続きを読む

Micronが232層の3D NANDフラッシュメモリを発表、データ転送速度は50％高速化し2.4Gbit/sに到達

2022/07/27 5 users Micron about 量産 www.micron.com

半導体製造大手のMicronが、232層の3DNANDフラッシュメモリの量産に成功したと発表しました。3D NANDフラッシュメモリが200層を超えたのは史上初で、データ転送速度は従来から50％高速化し2.4Gbit/sに到達しています。 First to Market, Second to None: the World’s First 232-Layer NAND https://www.micron.com/about... 続きを読む

【福田昭のセミコン業界最前線】3D NAND技術の開発競争で東芝-WD連合とSamsungが激突 - PC Watch

2018/02/25 24 users Samsung 激突 福田昭 NAND技術 セミコン業界最前線

技術の東芝、事業のSamsungという浅からぬ因縁 　NANDフラッシュメモリの発明企業が東芝であることは、良く知られている。DRAMを超える記憶密度と記憶容量を実現しながら、データを電気的に書き換え可能にしたメモリだ。およそ30年前の1987年12月に、国際学会IEDMで、NANDフラッシュメモリのメモリセルがはじめて発表された(IEDM1987、講演番号25.6)。 　NANDフラッシュメモリ... 続きを読む

【福田昭のセミコン業界最前線】DRAM値上がりで、空前の利益を享受するメモリ企業 - PC Watch

2017/11/28 35 users 空前 DRAM 福田昭 セミコン業界最前線 利益

Samsung Electronics、SK Hynix、Micron Technologyの業績(直近の四半期)。各社の公表資料を基に、筆者がまとめたもの。「過去最高」の売り上げと営業利益、そして40%を超える売上高営業利益率(営業利益/売上高)がならぶ 　DRAMとNANDフラッシュメモリが大半を占める半導体メモリ市場が、空前の好景気に沸いている。Samsung Electronics、SK ... 続きを読む

M.3 SSD、Z-SSD、64層V-NANDなどSSDの最新動向 (1/3) - ITmedia PC USER

2017/07/12 11 users USER SSD NANDフラッシュ 興味深いトピック 供給

日本サムスンが東京都内で「2017 Samsung SSD Forum, Japan」を開催した。SSDやNANDフラッシュメモリの業界動向など、興味深いトピックをピックアップして紹介しよう。 2017年中はNAND不足感が継続か　ストレージ需要予測 最近のSSDに関する大きな関心事項の1つに、SSDの価格上昇傾向がある。NANDフラッシュの需要拡大によって供給が不足傾向にあり、2017年に入って... 続きを読む

3D NANDフラッシュは200層クラスの超高層化で2Tbitの超々大容量へ ～国際メモリワークショップ(IMW) 2017レポート - PC Watch

2017/05/17 41 users IMw NANDフラッシュ 国際メモリワークショップ 筆者

IMW 2017(2017年国際メモリワークショップ)の会場。Hyatt Regency Montereyホテルのカンファレンスセンター。筆者が2017年5月15日午前7時30分ころ(現地時間)に撮影 　3D NANDフラッシュ(3次元構造のNANDフラッシュメモリ)の大容量化が、一段と進展する可能性が見えてきた。米国カリフォルニア州モントレーで開催中の国際学会「国際メモリワークショップ(2017... 続きを読む

SSD価格が急騰する恐れ、NANDフラッシュメモリの供給不足が深刻化 : PCパーツまとめ

2016/12/08 11 users SSD メインストレージ CAP_USER.net HDD

2016年12月08日 14:02 SSD価格が急騰する恐れ、NANDフラッシュメモリの供給不足が深刻化 カテゴリ SSD Tweet 1: 海江田三郎 ★ 2016/12/08(木) 10:32:53.53 ID:CAP_USER.net PCのメインストレージは長らくハードディスク(HDD)が担ってきましたが、容量あたりの価格低下にともなって高速でゼロスピンドルなSSDが、HDDを置き換える勢... 続きを読む

【福田昭のセミコン業界最前線】プレーナNANDフラッシュの限界に挑むSamsungの14nmチップ - PC Watch

2016/02/04 21 users Samsung 福田昭 ISSCC セミコン業界最前線 MLC

福田昭のセミコン業界最前線 プレーナNANDフラッシュの限界に挑むSamsungの14nmチップ （2016/2/5 06:00） NANDフラッシュメモリの最大手ベンダーであるSamsung Electronicsは、14nmの極めて微細な半導体加工技術によってプレーナ型で記憶容量が128GbitのMLC(2bit/セル)タイプNANDフラッシュメモリを試作し、その技術概要を国際会議「ISSCC... 続きを読む

東芝、3D NANDメモリ用の新工場を建設 ～四日市工場を15万平方m拡張 - PC Watch

2016/02/02 7 users 東芝 四日市工場 建設 PC Watch 新工場

ニュース 東芝、3D NANDメモリ用の新工場を建設 ～四日市工場を15万平方m拡張 （2016/2/2 12:13） 新第2製造棟に加え、新たに3Dメモリ用の工場を建設する 株式会社東芝は2日、三重県四日市市にある四日市工場の拡張を行ない、3D NANDフラッシュメモリ「BiCS FLASH」用の製造棟を建設すると発表した。 四日市工場では既に、3Dメモリ用の製造棟として、2016年前半に竣工予... 続きを読む

HDDメーカーのWestern DigitalがSanDiskの買収を発表 - 4Gamer.net

2015/10/21 34 users Sandisk 買収 小西利明 HDDメーカー SSD

HDDメーカーのWestern DigitalがSanDiskの買収を発表 編集部：小西利明 北米時間2015年10月21日，ストレージメーカーのWestern Digitalは，NANDフラッシュメモリを使ったメモリーカードやSSDで名高いSanDiskを約190億ドル（※2015年10月21日時点のドル円相場によると約2兆2800億円）で買収すると発表した。買収契約はすでに締結されており，20... 続きを読む

【福田昭のセミコン業界最前線】NANDフラッシュをDIMMに載せたら - PC Watch

2015/09/14 32 users DIMM メモリモジュール NANDフラッシュ 福田昭 開発

福田昭のセミコン業界最前線 NANDフラッシュをDIMMに載せたら （2015/9/14 12:07） NANDフラッシュメモリを載せたメモリモジュール(NANDフラッシュ搭載DIMM)の開発が活発になってきた。NANDフラッシュ搭載DIMMを、サーバーの主記憶用DIMMスロットに装着することで、ストレージ(外部記憶)、あるいは、システムメモリ(主記憶)として利用する。 NANDフラッシュ搭載DI... 続きを読む

【福田昭のセミコン業界最前線】暗いトンネルを抜けたNANDフラッシュが描くバラ色の未来 - PC Watch

2015/09/09 44 users NANDフラッシュ 福田昭 セミコン業界最前線 暗いトンネル

福田昭のセミコン業界最前線 暗いトンネルを抜けたNANDフラッシュが描くバラ色の未来 （2015/9/10 06:00） NANDフラッシュメモリは不思議なメモリである。半導体メモリでありながら、その応用分野はストレージ(外部記憶)から始まった。それも民生用機器からだ。具体的にはデジタルスチルカメラの記憶媒体(メモリカード)として普及が始まった。デジタルスチルカメラは既存の銀塩写真カメラを急速に置... 続きを読む

【後藤弘茂のWeekly海外ニュース】Samsungが256G-bitの3D NANDチップで16TBのSSDを実現 - PC Watch

2015/08/13 47 users Samsung フラッシュメモリ SSD 後藤弘茂 16TB

後藤弘茂のWeekly海外ニュース Samsungが256G-bitの3D NANDチップで16TBのSSDを実現 （2015/8/13 14:38） 3D NAND時代がやってくる NANDフラッシュメモリが本格的に3D時代に突入する。米サンタクララで開催されているフラッシュメモリのカンファレンス「Flash Memory Summit 2015」で、3D NAND時代がNANDメーカー各社によ... 続きを読む

DDR4スロットに挿すSSD『Diablo Memory1』10月発売、メインメモリとして認識 - Engadget Japanese

2015/08/11 21 users メインメモリ SSD Engadget Japanese

DDR4スロットに挿すSSD『Diablo Memory1』10月発売、メインメモリとして認識 BY Shingi Hashimoto 2015年08月11日 23時02分 0 カナダの業務用メモリ製品メーカーDiablo Technologies(ディアブロ・テクノロジーズ)が、DDR4 DIMMスロットに装着可能で、メインメモリとして認識されるNANDフラッシュメモリ『Diablo Memor... 続きを読む

【福田昭のセミコン業界最前線】 Intel-Micron連合が発表した“革新的な”不揮発性メモリ技術 - PC Watch

2015/07/30 71 users 福田昭 セミコン業界最前線 Intel 記者会見 中身

福田昭のセミコン業界最前線 Intel-Micron連合が発表した“革新的な”不揮発性メモリ技術の中身 （2015/7/30 13:03） NANDフラッシュメモリの共同開発などで協業しているIntelとMicron Technologyの企業連合(Intel-Micron連合)は、2015年7月28日(現地時間)に米国で記者会見を開催し「革新的な不揮発性メモリ技術を共同開発した」と発表した。両社... 続きを読む

【福田昭のセミコン業界最前線】東芝-SanDisk連合の超高密度3D NANDフラッシュメモリ技術 - PC Watch

2015/04/02 31 users 福田昭 セミコン業界最前線 ISSCC TLC ベンダー

福田昭のセミコン業界最前線 東芝-SanDisk連合の超高密度3D NANDフラッシュメモリ技術 （2015/4/2 16:38） 大手NANDフラッシュメモリ・ベンダーによる、3D NANDフラッシュメモリの発表が相次いでいる。2015年2月の国際学会(ISSCC)で、フラッシュメモリ最大手ベンダーである韓国のSamsung ElectronicsがTLC(3bit/セル)方式による128Gbi... 続きを読む

iPhone6 Plusの128GBモデル、一部はリコールの対象に？ - iPhone Mania

2014/11/05 10 users リコール iPhone Mania TLC Cell 対象

  先日、一部のiPhone6 Plusでアプリが強制終了して再起動が繰り返される不具合が発生しているとお伝えしましたが、この不具合の原因は搭載されているcell(TLC) NANDフラッシュメモリのコントローラーICにあるのではないか、と海外メディアのBusinessKoreaが報じています。 不先日、一部のiPhone6 Plusでアプリが強制終了して再起動が繰り返される不具合が発生していると... 続きを読む

｢iPhone 6 Plus｣の128GBモデルでクラッシュや再起動を繰り返す問題、フラッシュメモリのコントローラーICが原因か ｰ 最悪の場合はリコールも?! | 気になる、記になる…

2014/11/04 37 users フラッシュメモリ リコール TLC クラッシュ 再起動

先日、｢iPhone 6 Plus｣の128GBモデルの一部ユーザーがクラッシュと再起動を繰り返す問題を報告している事をお伝えしましたが、BusinessKoreaが、この件について、同モデルに搭載されているTLC（Triple Level Cell）NANDフラッシュメモリのコントローラーICに問題があるのではないかとの指摘があると報じています。 TLC（Triple Level Cell）は、... 続きを読む

【後藤弘茂のWeekly海外ニュース】Samsungが第3世代のV-NANDチップとして3-bit(TLC)版を発表 - PC Watch

2014/08/07 20 users TLC Cell Samsung V-NAND 後藤弘茂

後藤弘茂のWeekly海外ニュース Samsungが第3世代のV-NANDチップとして3-bit(TLC)版を発表 （2014/8/8 00:00） 製品化を急ピッチで進めるSamsungのV-NAND Samsung Semiconductorは、新技術「V-NAND」の第3世代となる製品「3-bit/Cell(TLC) V-NAND」を発表した。同社は、NANDフラッシュメモリの革新的技術とし... 続きを読む

ミドルウェアの変更だけでSSDの書き込み速度を大幅に向上させる技術 | スラッシュドット・ジャパン ハードウェア

2014/05/26 16 users ミドルウェア SSD ハードウェア 速度 領域

中央大学の竹内健教授ら研究グループが、ミドルウェアの修正だけで書き込み速度や消費電力、書き換え可能回数などを大幅に改善できるという技術を発表した（日経新聞）。 NANDフラッシュメモリでは、書き込み時に実行される断片化されたデータの再配置および無効な領域のブロック単位での消去処理によって書き込み速度が大幅に低下する。ミドルウェアでの処理でこれを回避することで、書き込み速度を向上できるという。 具体... 続きを読む

【福田昭のセミコン業界最前線】東芝からSK Hynixに不正流出したNANDフラッシュ技術 - PC Watch

2014/03/24 41 users 東芝 福田昭 SK Hynix NANDフラッシュ技術 警視庁

福田昭のセミコン業界最前線 東芝からSK Hynixに不正流出したNANDフラッシュ技術 （2014/3/24 12:05） 2014年3月14日に新聞やテレビなどの大手報道機関は、東芝のNANDフラッシュメモリに関する研究データ(機密情報)を韓国の大手メモリメーカーであるSK Hynixに提供した不正競争防止法違反(営業秘密開示)の容疑で、元技術者を警視庁が13日に逮捕したと報じた。元技術者(S... 続きを読む

“3Gバイト／秒”リードの怪物級SSDも：MacBook AirやVAIO Pro 13の高速化に貢献――Samsungの「PCIe M.2 SSD」とは？ (1/3) - ITmedia PC USER

2013/07/22 28 users Samsung USER EVO MacBook Air 貢献

Samsung Electronicsが7月18日に韓国ソウルにて開催したイベント「2013 Samsung SSD Global Summit」では、「Samsung SSD 840 EVO」の発表に加えて、NANDフラッシュメモリの業界動向やSSDの未来技術に関するセッションも行われた。 まず、NANDフラッシュメモリ業界の動向やSamsungのビジネス状況について、ジム・エリオット氏（同社メ... 続きを読む

インテルSSD 335発売、平面セル構造の20nm MLC NANDフラッシュ採用 - Engadget Japanese

2012/10/30 21 users Engadget Japanese フォームファクタ 製品

インテルがコンシューマー向けSSDのエントリーモデル新製品 Intel SSD 335 シリーズを正式に発表しました。SSD 335は、インテル製SSDとして初の20nm NANDフラッシュメモリを採用した製品。いまのところ容量240GB品のみがラインナップされています。フォームファクタは2.5インチ9.5mm厚、インターフェースはSATA 6Gbps。Continue reading インテルS... 続きを読む

NANDフラッシュメモリは微細化の限界へ。Flash Memory Summit 2012のまとめ － Publickey

2012/09/03 27 users 微細化 限界 まとめ － Publickey

ハードディスクと同じように、電源が切れてもデータを保持できるフラッシュメモリ。エンタープライズの領域での活用も始まり、圧倒的に高いアクセス性能や低発熱などの特性が、これまでのコンピューティングの常識を大きく変えようとしています。 Flash Memory Summit and Exhibition - August 21-23, 2012 - Santa Clara Convention Cent... 続きを読む