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次世代パワー半導体、本命材料「窒化ガリウム」が見えてきた
次世代パワー半導体、本命材料「窒化ガリウム」が見えてきた GaN on GaN構造で中耐圧パワーデバイスや高周波の性能向上 高耐圧な縦型FET構造の高効率パワーデバイスを作成するための半導体結晶として、その実用化と利用拡大に期待が集まる窒化ガリウム(GaN)基板上に成長した高品質なGaN結晶である「GaN on GaN」。富士... 続きを読む
どうなるパワー半導体業界再編、東芝・ローム・三菱電機の行く末
かつてないほど国内のパワー半導体業界が動いている。2023年3月23日、東芝は国内ファンドの日本産業パートナーズ(JIP)による買収を受け入れた。出資企業には次世代パワー半導体「炭化ケイ素(SiC)」国内最大手のロームが名を連ねる。 ロームの主力事業は大規模集積回路(LSI)とパワー半導体だが、全体として家電など... 続きを読む
NTTが世界初の新型トランジスタ 次世代パワー半導体の実験成功:朝日新聞デジタル
NTT物性科学基礎研究所は、窒化アルミニウムの半導体でトランジスタを作って動かす実験に世界で初めて成功したと発表した。将来的に電力ロスをこれまでのシリコン半導体の5%以下に抑えられる可能性があり、脱炭素に向けた次世代「パワー半導体」として期待される。 トランジスタは、金属のように電気を通す導体と、ゴム... 続きを読む
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