次世代パワー半導体、本命材料「窒化ガリウム」が見えてきた

2024/02/14 17 users 窒化ガリウム GaN 富士 高周波 性能向上

次世代パワー半導体、本命材料「窒化ガリウム」が見えてきた GaN on GaN構造で中耐圧パワーデバイスや高周波の性能向上 高耐圧な縦型FET構造の高効率パワーデバイスを作成するための半導体結晶として、その実用化と利用拡大に期待が集まる窒化ガリウム（GaN）基板上に成長した高品質なGaN結晶である「GaN on GaN」。富士... 続きを読む

NTTが世界初の新型トランジスタ　次世代パワー半導体の実験成功：朝日新聞デジタル

2022/04/22 16 users NTT 朝日新聞デジタル 実験成功 世界初

NTT物性科学基礎研究所は、窒化アルミニウムの半導体でトランジスタを作って動かす実験に世界で初めて成功したと発表した。将来的に電力ロスをこれまでのシリコン半導体の5%以下に抑えられる可能性があり、脱炭素に向けた次世代「パワー半導体」として期待される。 トランジスタは、金属のように電気を通す導体と、ゴム... 続きを読む