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ニュース 産総研、3Dトランジスタの低周波ノイズを約20%に削減 (2014/12/15 12:07) FinFETのゲート電極に非晶質金属のTaSiNを用いる技術 独立行政法人産業技術総合研究所(産総研)シリコンナノデバイスグループの松川貴上級主任研究員、昌原明植研究グループ長らは15日、FinFET(立体型トランジスタ)の低周波ノイズを大幅に削減する技術を発表した。米国で現地時間の15日より開... 続きを読む
【後藤弘茂のWeekly海外ニュース】iPhone 6sは性能と効率が大きく向上するFinFETのA9へ - PC Watch
後藤弘茂のWeekly海外ニュース iPhone 6sは性能と効率が大きく向上するFinFETのA9へ (2014/9/18 06:00) 筐体変更とコアアーキテクチャやプロセス革新が交互に来る 来年(2015年)の“iPhone 6s”(仮)は、チップの消費電力が大幅に減りバッテリ駆動時間が延びる。または、同じバッテリ時間で、性能が伸びる。なぜなら、来年のiPhoneのSoC(System on... 続きを読む
【後藤弘茂のWeekly海外ニュース】Appleの動向次第で大きく変わるファウンダリのキャパシティ - PC Watch
後藤弘茂のWeekly海外ニュース Appleの動向次第で大きく変わるファウンダリのキャパシティ (2014/5/23 06:00) SamsungとGLOBALFOUNDRIESでFinFETプロセスを共通化 FinFETでは3Dトランジスタ化によってリーク電流を抑え、より低い駆動電圧での動作を可能とし、スイッチングスピードも向上させる。パフォーマンス/電力が大幅に向上するため、電力の制約が厳し... 続きを読む
【後藤弘茂のWeekly海外ニュース】次世代GPUやSoCの行方を左右する3Dトランジスタレース - PC Watch
後藤弘茂のWeekly海外ニュース 次世代GPUやSoCの行方を左右する3Dトランジスタレース (2014/5/22 06:00) 止まったIntelを追いかけるファウンダリ各社 ファウンダリ各社は、FinFET 3Dトランジスタの量産へ向けて猛進している。FinFETプロセスで先行しているIntelに追い着くためだ。Intelは2世代目のFinFETの14nmプロセスの立ち上げで苦戦しており、フ... 続きを読む