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タグ 3Dトランジスタ

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【後藤弘茂のWeekly海外ニュース】16nmの3DトランジスタをターゲットとしたハイエンドGPU「Mali-T880」 - PC Watch

2015/02/12 このエントリーをはてなブックマークに追加 22 users Instapaper Pocket Tweet Facebook Share Evernote Clip 後藤弘茂 ハイエンドGPU ターゲット 16nm ARM

後藤弘茂のWeekly海外ニュース 16nmの3DトランジスタをターゲットとしたハイエンドGPU「Mali-T880」 (2015/2/13 06:00) ARMがMali-T880 GPUを北京で発表 ARMのモバイルGPUコア「Mali-T」シリーズは、MediaTekなど大手メーカーに採用されてはいるのだが、ハイエンドモバイルSoC(System on a Chip)の中では、まだ影が薄い。... 続きを読む

産総研、3Dトランジスタの低周波ノイズを約20%に削減 - PC Watch

2014/12/15 このエントリーをはてなブックマークに追加 16 users Instapaper Pocket Tweet Facebook Share Evernote Clip 産総研 削減 PC Watch FinFET 米国

ニュース 産総研、3Dトランジスタの低周波ノイズを約20%に削減 (2014/12/15 12:07) FinFETのゲート電極に非晶質金属のTaSiNを用いる技術 独立行政法人産業技術総合研究所(産総研)シリコンナノデバイスグループの松川貴上級主任研究員、昌原明植研究グループ長らは15日、FinFET(立体型トランジスタ)の低周波ノイズを大幅に削減する技術を発表した。米国で現地時間の15日より開... 続きを読む

【後藤弘茂のWeekly海外ニュース】IntelとTSMC/Samsungが3Dトランジスタで激突 - PC Watch

2014/09/03 このエントリーをはてなブックマークに追加 35 users Instapaper Pocket Tweet Facebook Share Evernote Clip TSMC Samsung Intel 激突 後藤弘茂

後藤弘茂のWeekly海外ニュース IntelとTSMC/Samsungが3Dトランジスタで激突 (2014/9/3 13:31) 14nmを積極的にアピールするIntel Intelは、第2世代の3Dトランジスタトライゲートのプロセスである14nmプロセスについて、積極的に発表を行なっている。製品の発売まで、肝心な部分は秘していた22nmプロセスの時とは大きく異なる。22nmでは製品発売まで隠し... 続きを読む

【後藤弘茂のWeekly海外ニュース】Intelの「Broadwell」を支える強力な14nmプロセス - PC Watch

2014/08/21 このエントリーをはてなブックマークに追加 29 users Instapaper Pocket Tweet Facebook Share Evernote Clip Broadwell Intel 後藤弘茂 スペック 出荷

後藤弘茂のWeekly海外ニュース Intelの「Broadwell」を支える強力な14nmプロセス (2014/8/21 12:47) スペックが高いIntelの14nmトライゲートプロセス Intelは、今年(2014年)後半から出荷を始める14nmプロセスの概要を明らかにした。Intelにとっては、3Dトランジスタ「トライゲートトランジスタ」の第2世代となる。遅れに遅れた14nmプロセスだが... 続きを読む

【後藤弘茂のWeekly海外ニュース】Samsungが発表した「V-NAND」でフラッシュの時代が明ける - PC Watch

2013/08/19 このエントリーをはてなブックマークに追加 92 users Instapaper Pocket Tweet Facebook Share Evernote Clip Samsung V-NAND 後藤弘茂 フラッシュ NAND

Samsungがついに「3D NAND」を発表した。3D NANDは、メモリのセルを、3D立体に積み重ねることで大容量化した新しいNANDフラッシュメモリだ。3D NANDの登場で、NANDフラッシュは新しいステージへと踏み出した。ロジックトランジスタが2D平面のプレーナから3Dトランジスタになったのと同じように、3D積層型メモリセルへと転換が始まった。 3D化は、言ってみれば、これまで平屋を並べ... 続きを読む

 
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