電力損失減、東京大学とNTTが新半導体　ＥＶ・再エネ普及へ - 日本経済新聞

2025/01/26 7 users NTT 再エネ普及 GaN sic 日本経済新聞

東京大学とNTTの研究グループは窒化アルミニウム（AlN）製の半導体デバイスを開発した。炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）などよりも高性能なAlNは次世代の半導体材料として注目を集めている。鉄道や電力系統などの高耐圧用途の半導体として実用化を目指す。再生可能エネルギーや電気自動車（EV）の普及により、電... 続きを読む

半導体素子、800℃を超える環境でも安定に動作

2023/07/05 12 users 半導体素子 トランジスタ ダイオード 安定 半導体

筑波大学は、窒化アルミニウム（AlN）半導体を用い、ダイオードは827℃まで、トランジスタは727℃まで、それぞれ極めて高い温度環境で、安定に動作させることに成功した。地下資源掘削や宇宙探索、エンジン周辺など、高い温度環境でも半導体素子の利用が可能となる。 900℃まで電気特性を測定できる評価装置を用意 筑波大学... 続きを読む

NTTがAlNトランジスタ、SiCやGaN超えの超低損失パワーデバイスへ

2022/04/22 15 users sic GaN トランジスタ 窒化ガリウム 窒化アルミニウム

NTTは2022年4月22日、窒化アルミニウム（AlN）トランジスタを開発したと発表した。AlNは、次世代パワーデバイスの材料として、NTTなど一部の研究所で基礎研究が進められている。物性上は炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）よりも損失が小さく耐圧が高いことから、高電圧で高効率な電源回路を形成できる。そのため、... 続きを読む