タグ 記憶密度
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【福田昭のセミコン業界最前線】 2010年代後半以降のDRAMトレンド、微細化と記憶密度に関する偽説のカラクリを暴く
【福田昭のセミコン業界最前線】3D NAND技術の開発競争で東芝-WD連合とSamsungが激突 - PC Watch
技術の東芝、事業のSamsungという浅からぬ因縁 NANDフラッシュメモリの発明企業が東芝であることは、良く知られている。DRAMを超える記憶密度と記憶容量を実現しながら、データを電気的に書き換え可能にしたメモリだ。およそ30年前の1987年12月に、国際学会IEDMで、NANDフラッシュメモリのメモリセルがはじめて発表された(IEDM1987、講演番号25.6)。 NANDフラッシュメモリ... 続きを読む
開発者とユーザーの距離が近い:HGSTの技術者が明かす「ヘリウム充填HDD」と「NVMe対応SSD」の実力 - ITmedia PC USER
HGSTの木下尚行氏は、ヘリウムガス充填HDDについて開発経緯と仕様的な優位点を紹介した。2007年に将来予想されるストレージ需要の成長率とそれまでのHDDにおける容量増加率を比べて、求められる容量に対してHDDの容量増加ははるかに少ない状況から、記憶密度とは別の方法によるブレイクスルーの道を探り、HGSTの別部署がヘリウムガスを利用していることからヒントを得て開発に取り組んだという、きっかけを紹... 続きを読む
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