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タグ 揮発性メモリ

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DRAMが世界をどう変えたかを半導体大手のMicronが解説

2024/10/23 このエントリーをはてなブックマークに追加 7 users Instapaper Pocket Tweet Facebook Share Evernote Clip Micron DRAM memory How 半導体大手

ロバート・ヒース・デナード氏が揮発性メモリの「DRAM」を発明してから、2024年6月で56周年を迎えました。そんなDRAMがIT業界にどのような変革をもたらしたのかについて、半導体大手のMicronが解説しています。 How DRAM changed the world | Micron Technology Inc. https://www.micron.com/about/blog/memory/dram/how... 続きを読む

Intelの不揮発性メモリ「Optane」を読み解く - COOL Chips 23 | マイナビニュース

2020/04/28 このエントリーをはてなブックマークに追加 5 users Instapaper Pocket Tweet Facebook Share Evernote Clip IEEE Optaneメモリ Optane Intel 揮発性

COOL Chips 23の基調講演でIntelが語ったOptaneメモリ 2020年4月15日から17日までの3日間、IEEEが主催するコンピュータの国際学会「COOL Chips 23」がオンラインを活用する形で開催された。その基調講演で、Intelは不揮発性のOptaneメモリについて講演した。 Optaneメモリはデータセンター向けが中心だが、最近は個人向... 続きを読む

Intel、DDR4スロットに挿せる1枚で512GBの「Optane DC」不揮発性メモリ - PC Watch

2018/05/31 このエントリーをはてなブックマークに追加 204 users Instapaper Pocket Tweet Facebook Share Evernote Clip Intel DDR4スロット メモリスロット DRAM 電源

米Intel は30日(現地時間)、DDR4メモリのスロットに挿せる「Optane DC」不揮発性メモリを発表した。  PCI Expressではなくメモリスロットに装着するため、低レイテンシと高速性を実現。その一方で従来のDRAMとは異なり、電源を切ってもデータが保持できる。また、1モジュールあたり最大512GBの容量を実現する。  これにより、データセンターにおける新しいメモリ/ストレージ技術... 続きを読む

インテル、ついに3D XPointメモリを製品化した「Optane SSD DC P4800X Series」発表。高速ストレージとしてだけでなく、メインメモリの拡張としても利用可能 - Publickey

2017/03/20 このエントリーをはてなブックマークに追加 128 users Instapaper Pocket Tweet Facebook Share Evernote Clip Publickey メインメモリ マイクロン インテル SSD

米インテルは、マイクロンと共同開発した新しい不揮発性メモリ「3D XPoint」を採用したサーバ向けSSD「 Optane SSD DC P4800X Series 」を発表しました( 動画など を見るかぎりOptaneはオプテインと発音するようです)。 従来のSSDには不揮発性メモリとしてNAND型フラッシュメモリが使われていることが一般的でした。今回のOptane SSD DC P4800X ... 続きを読む

インテルの新型メモリはイノベーションを起こすか? 新不揮発性メモリ「3D XPoint」がブレイクするための条件とは | JBpress(日本ビジネスプレス)

2015/08/25 このエントリーをはてなブックマークに追加 22 users Instapaper Pocket Tweet Facebook Share Evernote Clip JBpress インテル イノベーション 3D XPoint

インテルの新型メモリはイノベーションを起こすか? 新不揮発性メモリ「3D XPoint」がブレイクするための条件とは 続きを読む

Intel、NANDの1,000倍高速な不揮発性メモリを開発 ~トランジスタ不要の「3D XPoint」技術 - PC Watch

2015/07/29 このエントリーをはてなブックマークに追加 239 users Instapaper Pocket Tweet Facebook Share Evernote Clip NAND Intel Micron Technology

ニュース Intel、NANDの1,000倍高速な不揮発性メモリを開発 ~トランジスタ不要の「3D XPoint」技術 (2015/7/29 16:52) 「3D XPoint」の構造図 米Intelは28日(現地時間)、Micron Technologyとの共同研究により、全く新しい不揮発性メモリ「3D XPoint」を開発、量産を開始したと発表した。 不揮発性メモリとしては現在主流のNAND登... 続きを読む

東芝、キャッシュメモリ向け不揮発メモリ回路を開発 ~新磁性体メモリSTT-MRAMを使用、消費電力を80%削減 - PC Watch

2015/03/03 このエントリーをはてなブックマークに追加 31 users Instapaper Pocket Tweet Facebook Share Evernote Clip 東芝 消費電力 キャッシュメモリ STT-MRAM SRAM

ニュース 東芝、キャッシュメモリ向け不揮発メモリ回路を開発 ~新磁性体メモリSTT-MRAMを使用、消費電力を80%削減 (2015/3/3 19:17) 株式会社東芝は3日、新方式磁性体メモリ(STT-MRAM)回路の開発発表を行なった。高性能プロセッサおよびSoCに向ける。現在プロセッサのキャッシュメモリに用いられている揮発性メモリのSRAMと比較して、消費電力を約80%削減できるとする。 S... 続きを読む

 
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