産総研、MRAMの3次元積層に成功。MRAMの大容量化や生産性向上に道筋 - PC Watch

2017/05/16 10 users MRAM CMO CMOS 道筋 産総研

3次元積層によるTMR素子を作成 　産業技術総合研究所(産総研)は16日、不揮発性磁気メモリ(MRAM)の3次元積層プロセス技術を開発したと発表した。CMOS形成ウェハとTMR薄膜ウェハを別体生成したあと、圧着接合するという3次元積層によるTMR素子の作成は世界初という。 　MRAMは垂直磁化TMR素子をベースとする記録ビットと、ビット選択に用いるCMOS、金属配線からなり、通常TMR薄膜はCMO... 続きを読む