【後藤弘茂のWeekly海外ニュース】Samsungが第3世代のV-NANDチップとして3-bit(TLC)版を発表 - PC Watch

2014/08/07 20 users TLC Cell NANDフラッシュメモリ Samsung

後藤弘茂のWeekly海外ニュース Samsungが第3世代のV-NANDチップとして3-bit(TLC)版を発表 （2014/8/8 00:00） 製品化を急ピッチで進めるSamsungのV-NAND Samsung Semiconductorは、新技術「V-NAND」の第3世代となる製品「3-bit/Cell(TLC) V-NAND」を発表した。同社は、NANDフラッシュメモリの革新的技術とし... 続きを読む

【後藤弘茂のWeekly海外ニュース】Samsungが発表した「V-NAND」でフラッシュの時代が明ける - PC Watch

2013/08/19 92 users Samsung 後藤弘茂 フラッシュ NAND 平屋

Samsungがついに「3D NAND」を発表した。3D NANDは、メモリのセルを、3D立体に積み重ねることで大容量化した新しいNANDフラッシュメモリだ。3D NANDの登場で、NANDフラッシュは新しいステージへと踏み出した。ロジックトランジスタが2D平面のプレーナから3Dトランジスタになったのと同じように、3D積層型メモリセルへと転換が始まった。 3D化は、言ってみれば、これまで平屋を並べ... 続きを読む

サムスン、3D垂直構造NANDフラッシュメモリの量産開始を発表 - CNET Japan

2013/08/07 7 users サムスン ソリッドステートドライブ 量産開始 NAND 発表

サムスンは、10年にわたる研究開発の末に、3次元垂直構造のNAND（V-NAND）フラッシュメモリの大量生産を開始した。 韓国企業であるサムスンは現地時間8月6日付けのブログ投稿で、V-NANDはNAND型のストレージやソリッドステートドライブ（SSD）を含む、コンシューマー向けの電子機器や企業向けの応用製品の双方で広く使用されることになると記している。 サムスンのV-NAND製品は、垂直方向のス... 続きを読む