IBMとSamsung、垂直トランジスタ設計によるブレイクスルーを発表　「スマホの充電は週1に」

2021/12/16 206 users Samsung IBM ムーア ブレイクスルー 充電

IBMはSamsungとの強力で半導体設計のブレイクスルーを実現したと発表した。「Vertical-Transport Nanosheet Field Effect Transistor」（VTFET）と呼ぶ新たな設計アプローチで「ムーアの法則」を今後も維持できるとしている。 米IBMは12月14日（現地時間）、韓国Samsung Electronicsと協力し、半導体設計の飛躍的進歩を... 続きを読む