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機械学習で抵抗変化型メモリ(ReRAM)の エラーを予測、メモリの寿命を13倍に向上 - 竹内研究室の日記

2015/05/22 このエントリーをはてなブックマークに追加 58 users Instapaper Pocket Tweet Facebook Share Evernote Clip ReRAM メモリ IMw データセンタ 寿命

IMWで発表した、機械学習を用いることでReRAMの寿命を13倍に増加する技術をプレスリリースしました。詳細はこちらをご覧ください。以下、要旨です。機械学習を用いて抵抗変化型メモリ(ReRAM)のエラーを予測し、寿命(書き換え可能な回数)を13倍に増加させることに成功しました。携帯電話からデータセンタのストレージ(記憶装置)までフラッシュメモリを記憶媒体とするSSDが幅広く使われています。フラッシ... 続きを読む

 
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